建設(shè)地點:廣東省東莞市松山湖園區(qū)總部二路2號
項目概況:廣東光大第三代半導體科研制造中心1區(qū)項目,由東莞市中晶松湖半導體科技有限公司、東莞市中鎵半導體科技有限公司投資,計劃投資44億元,占地面積約202畝、建筑面積19萬平方米左右。建設(shè)周期為2022年至2024年,建成后主要生產(chǎn)制造2至4英寸氮化鎵襯底、2至6英寸GaNonGaN/Si器件、4英寸MiniLED外延芯片,預計年產(chǎn)值約44億元,F(xiàn)為園區(qū)內(nèi)各芯片生產(chǎn)企業(yè)生產(chǎn)廢水處理提供配套環(huán)保工程,現(xiàn)擬建1座公共生產(chǎn)廢水處理廠集中處理園區(qū)內(nèi)各企業(yè)生產(chǎn)廢水,東莞中灝環(huán)境科技有限公司作為運營單位,預計處理規(guī)模合計為11000m3/d。其中含砷生產(chǎn)廢水處理規(guī)模為1000m3/d,其他不含第一類污染物生產(chǎn)廢水處理規(guī)模為10000m3/d。主要收集項目所在園區(qū)內(nèi)東莞市中晶松湖半導體科技有限公司、東莞市中鎵半導體科技有限公司兩家企業(yè)產(chǎn)生的生產(chǎn)廢水。
該項目主要建設(shè)內(nèi)容包括:酸堿、含氟、含氨廢水處理系統(tǒng)、一般廢水處理系統(tǒng)、研磨廢水預處理系統(tǒng)、有機廢水預處理系統(tǒng)、含砷廢水處理系統(tǒng)和物化處理系統(tǒng)、生化處理系統(tǒng)、RO反滲透系統(tǒng)以及污泥處理系統(tǒng),同時配套建設(shè)相應的公用工程及輔助工程。含砷廢水經(jīng)處理達標后排入附近南畬朗排渠。其他不含第一類污染物生產(chǎn)廢水經(jīng)處理后納入東莞市南畬朗污水處理廠處理達標后排放。
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